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Nチャネルmosfet構造

sibigi56

第2図 nチャンネルMOSFETの構造と印加電圧 第2図 nチャンネルMOSFETの構造と印加電圧
ckt30_64.gif ckt30_64.gif
図4に示した従来のMOSFETと大きく異なる所は、その一部がチャネル形成領域16となるバルク半導体基板11が、従来のp型半導体基板31に認められるように不純物半導体基板 図4に示した従来のMOSFETと大きく異なる所は、その一部がチャネル形成領域16となるバルク半導体基板11が、従来のp型半導体基板31に認められるように不純物半導体基板
第9図 nチャンネルIGBTの構造と等価回路 第9図 nチャンネルIGBTの構造と等価回路
図1 a ) のように酸化絶縁膜の上に金属の電極をつけた部分をゲート(gate)と呼び、 各n型半導体の電極をソース(source)、ドレイン(drain)と呼びます。 図1 a ) のように酸化絶縁膜の上に金属の電極をつけた部分をゲート(gate)と呼び、 各n型半導体の電極をソース(source)、ドレイン(drain)と呼びます。
FETとは電界効果型トランジスタと呼ばれ、トランジスタが入力電流により出力電流を制御するのに対して、FETは入力の電圧(電界)で出力電流を制御します。 FETとは電界効果型トランジスタと呼ばれ、トランジスタが入力電流により出力電流を制御するのに対して、FETは入力の電圧(電界)で出力電流を制御します。
Nチャネル MOS FET. ドレインソース間はNPN構造のために 電流は流れない Nチャネル MOS FET. ドレインソース間はNPN構造のために 電流は流れない
第3図 nチャンネルエンハンスメント形MOSFETの静特性 第3図 nチャンネルエンハンスメント形MOSFETの静特性
図1  図1
PチャネルMOS FETの場合も電圧は逆ですが、同様な動作をします。ゲートにマイナス電圧がかかると、ソースおよびドレイン内のホールがゲートに引き寄せられ、両者間のN PチャネルMOS FETの場合も電圧は逆ですが、同様な動作をします。ゲートにマイナス電圧がかかると、ソースおよびドレイン内のホールがゲートに引き寄せられ、両者間のN
図1 MOS FET(Nチャネル)の構造と記号 図1 MOS FET(Nチャネル)の構造と記号
HC0401_e MOS FETの飽和領域での動作 HC0401_e MOS FETの飽和領域での動作
nチャネル MOS FET nチャネル MOS FET
3極の名前は現在ではソース、ドレイン、ゲートが定着しています。1960年出願のベル電話研究所の2件の特許には、この名前はなく、真空管と同じアノード、カソード、 3極の名前は現在ではソース、ドレイン、ゲートが定着しています。1960年出願のベル電話研究所の2件の特許には、この名前はなく、真空管と同じアノード、カソード、
画像lsi_f106.gif 図 MOSFET(Nチャネル型)の基本構造 画像lsi_f106.gif 図 MOSFET(Nチャネル型)の基本構造
MOSトランジスタ MOSトランジスタ
理想MOS構造 理想MOS構造
構造[編集]. 図1. プレーナゲート型Nチャネル縦型MOSFET 構造[編集]. 図1. プレーナゲート型Nチャネル縦型MOSFET
示す通り、不純物濃度の高いn型ポリシリコン層(n+poly−Si)、シリコン酸化膜(SiO2)、p型シリコン基板(p sub)から構成されるMOS構造の  示す通り、不純物濃度の高いn型ポリシリコン層(n+poly−Si)、シリコン酸化膜(SiO2)、p型シリコン基板(p sub)から構成されるMOS構造の
n型MOS FET n型MOS FET
構造. 図1. プレーナゲート型Nチャネル縦型MOSFET 構造. 図1. プレーナゲート型Nチャネル縦型MOSFET
第8図 DMOSFETの構造 第8図 DMOSFETの構造
示される断面の層構造(N+層,PW層,P+層,NW層)は,NチャネルまたはPチャネルMOSFETの一部分の断面構造と同様となっている。  示される断面の層構造(N+層,PW層,P+層,NW層)は,NチャネルまたはPチャネルMOSFETの一部分の断面構造と同様となっている。
トレンチゲート型Nチャネル縦型MOSFET トレンチゲート型Nチャネル縦型MOSFET
等しくなる寸法を有する普通のLDD構造を有するNチャネルMOSFETの平面図、図3(c)は図3(a)の断面図、図4は図3(a)及び  等しくなる寸法を有する普通のLDD構造を有するNチャネルMOSFETの平面図、図3(c)は図3(a)の断面図、図4は図3(a)及び
従来の)プレナー型MOS,FETの構造概略(n型) Lチャンネル長, Wチャンネル幅 従来の)プレナー型MOS,FETの構造概略(n型) Lチャンネル長, Wチャンネル幅
【0011】従って、同一の半導体基板上にnチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETとを搭載し、それらを相補対称接続していわゆるCMOS(Complement,MOS)を形成したい場合に 【0011】従って、同一の半導体基板上にnチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETとを搭載し、それらを相補対称接続していわゆるCMOS(Complement,MOS)を形成したい場合に
サフィックスA の付されている符号により指摘されるpチャネルMOSFETの側では当然、そのソース12A 、ドレイン13A はp型にドープされており、対してサフィックスB の付 サフィックスA の付されている符号により指摘されるpチャネルMOSFETの側では当然、そのソース12A 、ドレイン13A はp型にドープされており、対してサフィックスB の付
ともいう)である。 NチャンネルMOS  ともいう)である。 NチャンネルMOS
Nチャネルと同様にゲート・ソース間しきい値電圧Vthに対して十分大きいか小さな電圧を印加しますが、 電位的にPチャネルはソースよりゲートのほうが低くなった場合にON Nチャネルと同様にゲート・ソース間しきい値電圧Vthに対して十分大きいか小さな電圧を印加しますが、 電位的にPチャネルはソースよりゲートのほうが低くなった場合にON
並列nおよびpチャネルMOSFETを備えた標準的アナログスイッチ 並列nおよびpチャネルMOSFETを備えた標準的アナログスイッチ
図1 接合型FET(Nチャネル)の構造と記号 図1 接合型FET(Nチャネル)の構造と記号
HC0401_b FETの構造 HC0401_b FETの構造
mos3 mos3
n型チャネル接合型fetの構造図 n型チャネル接合型fetの構造図
ele7_1 ele7_1
図6(a)に示す従来の構造のNチャネルMOSFETを使用する場合、ピンチオフの状態が生じて 図6(a)に示す従来の構造のNチャネルMOSFETを使用する場合、ピンチオフの状態が生じて
トレンチゲート型Nチャネル縦型MOSFET トレンチゲート型Nチャネル縦型MOSFET
図5〜図7Bを参照して先に説明されたnチャネルMOSFETの動作は、ゲート及びドレインに印加されるドレイン電流対電圧のグラフ図によって容易に 図5〜図7Bを参照して先に説明されたnチャネルMOSFETの動作は、ゲート及びドレインに印加されるドレイン電流対電圧のグラフ図によって容易に
というのもIGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタとの複合テバイスであり、技術史的には、nチャネルMOSFETのドレイン というのもIGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタとの複合テバイスであり、技術史的には、nチャネルMOSFETのドレイン
構造であれば、端子LXに繋がるドレインD2はPウェル(P−Body)の中にあるため、ドレインD2とP型半導体基板(P−sub)との間に寄生ダイオードは  構造であれば、端子LXに繋がるドレインD2はPウェル(P−Body)の中にあるため、ドレインD2とP型半導体基板(P−sub)との間に寄生ダイオードは
これらのNチャネルMOSFET及びPチャネルMOSFETで作られたデカップリング容量はいずれも、チップ内の他の領域に形成され これらのNチャネルMOSFET及びPチャネルMOSFETで作られたデカップリング容量はいずれも、チップ内の他の領域に形成され
例えば、前記pチャネルジャンクションFET用基板を用いてnチャネルMOSFETを作製する。 例えば、前記pチャネルジャンクションFET用基板を用いてnチャネルMOSFETを作製する。
CoolMOS,power,mosfets,highPower_positioning CoolMOS,power,mosfets,highPower_positioning
図10nチャネルMOSFETの拡散構造を説明するための断面図 図11従来技術の電源回路の一例 図12従来のトランスを説明するための図 図10nチャネルMOSFETの拡散構造を説明するための断面図 図11従来技術の電源回路の一例 図12従来のトランスを説明するための図
図2 NチャネルMOS FETの順方向特性の例 図2 NチャネルMOS FETの順方向特性の例
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